ayx爱游戏官网登录:2025年SiC深度：先进封装：英伟达、台积电未来的材料之选

ayx爱游戏手机网页版:

　　今天分享的是：2025年SiC深度：先进封装：英伟达、台积电未来的材料之选

　　随着人工智能算力需求的迅猛增长，芯片功耗与散热问题已成为制约技术发展的关键瓶颈。近日，行业信息数据显示，英伟达与台积电正积极探索在新一代先进封装中采用碳化硅材料，以应对高热功耗带来的挑战。这一技术动向，或许将引领半导体封装材料进入新一轮革新。

　　当前，AI芯片普遍采用台积电的CoWoS先进封装技术，该技术通过硅中介层实现GPU与高带宽内存的高密度互连。然而，随着芯片算力不断的提高，功率也持续攀升，热管理难度飞速增加。报告说明，英伟达芯片单位面积功率预计将从H100的约0.86W/mm²提升至未来架构的2W/mm²以上，芯片总功耗甚至有可能突破15000W。高热负荷下，传统硅中介层已逐渐面临散热瓶颈与结构可靠性压力，尤其在更大尺寸封装中易出现翘曲、开裂等问题。

　　在此背景下，碳化硅凭借其优异的物理特性进入行业视野。研究表明，碳化硅的热导率可达硅材料的3倍以上，能明显提升封装整体散热效率。同时，其更高的硬度与热稳定性有助于增强中介层结构强度，适应更大尺寸、更高功率的封装需求。相较于同样高导热但工艺尚不成熟的金刚石，碳化硅与现有芯片制造工艺具备更好的兼容性，已有一定的技术积累与产业链基础。

　　行业分析认为，若碳化硅能成功应用于CoWoS等先进封装的中介层，将为上游材料产业带来可观的市场增量。预估至2030年，若大部分先进封装转向碳化硅中介层，全球对12英寸碳化硅衬底的需求可能远超当前产能水平。在这一潜在趋势中，中国大陆碳化硅产业链因在产能布局、生产所带来的成本等方面具备一定基础，有望参与到全球供应链重构的过程中。

　　值得注意的是，这一材料转换仍面临技术成熟度、工艺适配及成本控制等多重挑战，实际导入时间和规模需视产业协同发展状况而定。但毋庸置疑，在算力竞赛持续激烈的背景下，散热已成为芯片演进的核心议题，材料创新势在必行。碳化硅能否从功率半导体领域成功跨入先进封装赛道，不仅关系到个别企业的布局，更可能会影响未来高端芯片的性能轨迹与产业生态。

　　总体来看，半导体行业正站在材料选择的新十字路口。碳化硅在封装环节的应用探索，标志着业界对热管理问题的重视已从设计架构延伸至材料底层。其后续进展，值得持续关注。