ayx爱游戏官网登录:伟特森电子请求碳化硅二极管及其制备办法专利能够在必定程度上完结敞开电压0V~09V范围内可选

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　　国家知识产权局信息数据显现，重庆伟特森电子科技有限公司;无锡锡产微芯半导体有限公司请求一项名为“一种碳化硅二极管及其制备办法”的专利，公开号CN121240472A，请求日期为2025年9月。

　　专利摘要显现，本发明触及半导体器材技能领域，公开了一种碳化硅二极管，包含顺次层叠的反面欧姆触摸金属层、碳化硅衬底、碳化硅缓冲层、碳化硅外延层和阳极金属层；碳化硅外延层的掺杂类型为n型或p型掺杂；碳化硅外延层内且沿其上外表设有至少一个榜首掺杂区，每个榜首掺杂区内且沿其上外表均设有第二掺杂区，榜首掺杂区的掺杂类型与碳化硅外延层的掺杂类型相反，第二掺杂区的掺杂类型与碳化硅外延层的掺杂类型相同。本发明还公开了一种碳化硅二极管的制备办法。本碳化硅二极管具有较高的反向耐压才能和更好的正向浪涌才能，能够在必定程度上完结敞开电压0V~0.9V范围内可选。

　　天眼查资料显现，重庆伟特森电子科技有限公司，成立于2018年，坐落重庆市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本2850万人民币。经过天眼查大数据分析，重庆伟特森电子科技有限公司参加招投标项目1次，产业线条，此外企业还具有行政许可1个。

　　无锡锡产微芯半导体有限公司，成立于2019年，坐落无锡市，是一家以从事专业方面技能服务业为主的企业。企业注册资本330071.4286万人民币。经过天眼查大数据分析，无锡锡产微芯半导体有限公司共对外出资了5家企业，参加招投标项目1次，产业线条，此外企业还具有行政许可15个。

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