ayx爱游戏官网登录:清煜半导体请求多籽晶碳化硅液相成长专利取得方针厚度的多个碳化硅晶锭

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　　国家知识产权局信息数据显现，姑苏清煜半导体科技有限公司请求一项名为“根据行星旋转的多籽晶碳化硅液相成长办法、设备及体系”的专利，公开号CN121228346A，请求日期为2025年11月。

　　专利摘要显现，本请求供给一种根据行星旋转的多籽晶碳化硅液相成长办法、设备及体系，液相成长办法有前置预备阶段、榜首成长阶段和第二成长阶段。前置预备阶段包含将籽晶承载部经过斜面承载离轴籽晶，斜面的法线方向与籽晶承载部的轴线方向所构成的夹角匹配离轴籽晶的离轴角。榜首成长阶段包含：驱动多个离轴籽晶环绕公转中心进行公转，一起按捺多个离轴籽晶环绕其本身轴线的自转，多个离轴籽晶的成长界面与熔体的流场坚持反平行状况，离轴籽晶成长构成晶体。第二成长阶段包含：晶体的成长界面由离轴取向转变为正轴取向后，中止驱动多个晶体环绕公转中心进行的公转，转而驱动晶体绕其本身轴线进行自转，直至取得方针厚度的多个碳化硅晶锭。

　　天眼查资料显现，姑苏清煜半导体科技有限公司，成立于2025年，坐落姑苏市，是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1222.2223万人民币。经过天眼查大数据分析，姑苏清煜半导体科技有限公司共对外出资了2家企业，专利信息45条。

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