ayx爱游戏官网登录:中天晶科请求碳化硅外延片及其成长办法专利改进碳化硅外延层厚度均匀性差的技术问题

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　　国家知识产权局信息数据显现，中天晶科（宁波）半导体资料有限公司请求一项名为“一种碳化硅外延片及其成长办法”的专利，公开号CN121228352A，请求日期为2025年9月。

　　专利摘要显现，本发明供给一种碳化硅外延片及其成长办法，该成长办法有以下过程：将碳化硅衬底载入外延炉的成长腔室；调理所述成长腔室内的外延成长温度，以及碳源与硅源的碳硅比，在所述碳化硅衬底上成长方针标准的外延层；其间，界说所述外延成长温度与所述碳硅比的比值为温硅比，用W表明，1700≤W≤2300，能改进碳化硅外延层厚度均匀性差的技术问题。

　　天眼查资料显现，中天晶科（宁波）半导体资料有限公司，成立于2019年，坐落宁波市，是一家以从事非金属矿藏制品业为主的企业。企业注册资本53423.3332万人民币。经过天眼查大数据分析，中天晶科（宁波）半导体资料有限公司参加招投标项目450次，产业线条，此外企业还具有行政许可15个。

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